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BZX84C4V3TW_R1_00001 发布时间 时间:2025/8/14 7:28:05 查看 阅读:14

BZX84C4V3TW_R1_00001 是一款由 Rohm Semiconductor 生产的表面贴装齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压参考和电压调节应用。该器件采用 SOD-323 封装,具有小型化、低功耗和高稳定性的特点。齐纳电压为 4.3V,适用于需要精密电压控制的电子电路。

参数

齐纳电压: 4.3V
  容差: ±1%
  额定功率: 200 mW
  工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  封装类型: SOD-323
  引脚数: 2
  最大齐纳电流: 10 mA
  最大反向漏电流: 100 nA

特性

BZX84C4V3TW_R1_00001 齐纳二极管具备优异的电压稳定性和低温度系数,确保在不同工作条件下保持稳定的参考电压。其 ±1% 的容差提供更高的精度,适用于对电压要求较高的电路设计。此外,该器件具有快速响应时间和良好的动态阻抗特性,有助于在负载变化时保持输出电压的稳定性。
  采用 SOD-323 小型封装,适用于高密度 PCB 布局,并具备良好的热性能和机械稳定性。其低功耗设计和高可靠性使其成为便携式电子设备、电源管理和传感器电路中的理想选择。

应用

该齐纳二极管广泛应用于各种电子设备中,如电源电路中的参考电压源、电压检测电路、过压保护电路以及模拟和数字电路中的稳压应用。此外,它也适用于电池管理系统、工业控制设备、通信模块和消费类电子产品中的电压调节任务。

替代型号

BZX84C4V3E6383,BZX84C4V3LT1G

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BZX84C4V3TW_R1_00001参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,252,000 : ¥0.40783卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 配置3 个独立式
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz)4.3 V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大值200 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)90 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏3 μA @ 1 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)-
  • 工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装SOT-363