时间：2025/7/10 21:55:30
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GA1812Y273KBBAR31G 是一款高性能、低功耗的陶瓷电容器，适用于高频滤波和去耦应用。该元器件采用了先进的陶瓷介质材料，具有出色的频率特性和温度稳定性。其紧凑的设计和可靠的性能使其成为消费电子、通信设备以及工业控制等领域的理想选择。
该型号中的具体参数编码定义了其容量、电压额定值、封装尺寸及其他关键特性，能够满足严苛环境下的电路设计需求。
容量：27pF
额定电压：50V
封装形式：1812 (4.5x3.2mm)
介质材料：C0G (NP0)
耐压等级：50V
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
公差：±0.3pF
ESR（等效串联电阻）：极低
DF（损耗因数）：0.001以下
GA1812Y273KBBAR31G 的主要特性包括高稳定性和低温度漂移，这得益于其采用的 C0G（NP0）介质材料。这种材料在宽温度范围内表现出极其稳定的电容值，变化率小于 ±30ppm/℃。
此外，该电容器还具备超低的等效串联电阻（ESR），使其非常适合高频应用，例如射频滤波器和信号调理电路。
其大尺寸封装（1812）提供了更高的机械强度和更好的散热能力，从而提高了整体可靠性。
最后，产品符合 RoHS 标准，确保环保且适合长期使用。
该电容器广泛应用于需要高频特性和高稳定性的场景中，包括但不限于：
- 射频滤波器
- 高速数字电路的电源去耦
- 振荡器和时钟电路
- 工业控制设备中的信号调理
- 通信设备中的高频信号处理
- 消费电子产品中的音频和视频信号滤波
GA1812Y273KBBBR31G
CC0805KRX7WNT270J
Kemet C1812C273K5RACTU
TDK C1812C273K5RACTU
