ME2206AM6G-N 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率开关晶体管。该器件采用先进的 GaN 工艺,具有低导通电阻、高开关速度和卓越的热性能,适用于高频 AC-DC 和 DC-DC 转换器等高效率应用场景。
该器件内置了多种保护功能,并集成了驱动电路以优化系统设计的复杂度和成本。其封装形式为超小型表面贴装类型,能够显著提升功率密度。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:6A
导通电阻:150mΩ
栅极电荷:40nC
开关频率:高达 2MHz
工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
封装类型:DFN8
ME2206AM6G-N 的主要特点包括:
1. 高效的氮化镓材料,确保更低的导通损耗和开关损耗。
2. 内置驱动电路,简化外部元件需求。
3. 具备快速短路保护及过温保护功能,增强可靠性。
4. 支持高频工作,可减少磁性元件体积从而提升功率密度。
5. 封装小巧,适合紧凑型设计。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于大规模生产。
这款芯片广泛应用于以下领域:
1. 消费类电源适配器和快充设备。
2. 数据中心服务器的高效电源模块。
3. LED 照明驱动电路。
4. 电动汽车车载充电器及电池管理系统。
5. 小型化工业电源与通信电源。
6. 太阳能微型逆变器中的高频 DC-DC 转换部分。
ME2206AM8G-N, ME2206BM6G-N