时间：2025/8/24 13:33:33
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HGT1S7N60B3D 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高电压和高频率应用。该器件采用先进的高压工艺制造，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和出色的热性能。其主要设计用于开关电源、DC-DC 转换器、照明系统、电机控制以及各种工业和消费类电子产品中的功率开关。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：600V
漏极-栅极电压（Vdg）：600V
栅极-源极电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）@25℃：7A
功率耗散（Ptot）：50W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：TO-220
导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（最大）
HGT1S7N60B3D 具备一系列高性能特性，使其适用于多种高电压功率转换应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该 MOSFET 的高耐压能力（600V）使其适用于各种开关电源拓扑结构，如反激式、正激式和 LLC 谐振转换器。该器件的 TO-220 封装提供了良好的散热性能和机械稳定性，适用于需要高可靠性的工业环境。HGT1S7N60B3D 还具备较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，提高开关速度，从而适用于高频工作条件。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 10V 至 20V 的驱动电压，增强了其在不同驱动电路中的兼容性。其内置的快速恢复二极管（FRD）也提升了其在高频率应用中的性能，减少了外部元件的需求。最后，该器件符合 RoHS 环保标准，适合绿色电子产品的设计要求。
HGT1S7N60B3D 还具备良好的热稳定性和过载能力，能够在高温环境下稳定工作。其设计优化了内部结构，以减少热阻，从而在高功率条件下保持较低的温度上升。这使得该 MOSFET 在紧凑型电源设计中具有显著优势，尤其是在空间受限的应用中。此外，其高抗雪崩能力提供了更强的可靠性，能够承受瞬时过压和过流冲击，避免因异常工作条件导致的损坏。
HGT1S7N60B3D 被广泛应用于各种功率电子系统中。首先，在开关电源（SMPS）领域，该器件常用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中作为主开关，特别是在反激式、正激式和 LLC 谐振转换器中表现出色。其次，在 LED 照明系统中，HGT1S7N60B3D 可用于恒流驱动电路，以实现高效能和高稳定性的照明控制。此外，该 MOSFET 也适用于电机驱动和变频器应用，例如无刷直流电机（BLDC）控制、电动工具和家用电器中的电机控制模块。由于其高耐压能力和良好的热性能，它也被用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及电池管理系统（BMS）。最后，在消费类电子产品中，如电视电源、游戏机电源适配器等，HGT1S7N60B3D 同样被广泛采用，以实现小型化、高效能的电源设计。
FQP7N60C, STP7NK60Z, IRFBC30, 2SK2545
