时间：2025/9/3 1:58:55
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MBR200100是一款由ON Semiconductor生产的200V、10A的肖特基势垒整流器（Schottky Barrier Rectifier），主要用于高效率的电源转换和整流应用。该器件采用双共阴极配置，具有较低的正向压降（VF），有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。MBR200100的封装形式为TO-220，便于散热和安装，适用于工业电源、开关电源（SMPS）、逆变器和电池充电器等应用场景。
最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V
最大正向电流（IF(AV)）：10A
正向压降（VF）：最大1.55V @ IF=10A
反向漏电流（IR）：最大0.5mA @ VR=200V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
存储温度范围：-65°C 至 +175°C
封装类型：TO-220
引脚数：3（双共阴极）
MBR200100作为一款高性能的肖特基二极管，具有多项显著的技术优势和实用特性。
首先，该器件的正向压降低至1.55V（在10A电流下），相比于传统硅整流二极管具有更低的导通损耗，这使得它在高电流、高效率要求的应用中表现出色，有助于提高电源系统的整体效率并减少散热需求。
其次，MBR200100的最大反向电压为200V，能够在中高压应用中稳定工作，例如开关电源、DC-DC转换器和电池管理系统等。此外，其额定平均正向电流为10A，能够满足较高功率等级的整流需求。
该器件采用双共阴极封装（双二极管共阴极结构），简化了电路设计，特别适合半桥拓扑结构中的续流二极管或整流二极管使用，提高电路的可靠性和集成度。
MBR200100的封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，能够在较高环境温度下正常运行。其工作温度范围为-55°C至+175°C，适合工业级应用对温度稳定性要求较高的场合。
另外，该器件具备较低的反向漏电流（最大0.5mA @ VR=200V），确保在高温环境下仍能保持良好的反向阻断能力，避免因漏电流过大而导致的系统不稳定或效率下降。
综合来看，MBR200100是一款适用于高效率电源转换系统的关键元件，凭借其低正向压降、高电流能力和良好的温度适应性，广泛应用于工业电源、通信设备电源、UPS系统和新能源电池管理系统中。
MBR200100主要应用于各类高效率电源系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电池充电器和不间断电源（UPS）等。其双共阴极结构使其特别适合用于半桥电路中的续流或整流环节。此外，由于其高耐压能力和良好的热稳定性，该器件也常用于工业控制设备、LED照明驱动电源、新能源汽车电池管理系统（BMS）以及太阳能逆变器等高可靠性应用场景。
MBR200100C, MBR20100CT, STPS20H100CG, VS-20CTQ100FN
