时间：2025/7/10 6:51:54
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DMT6012LSS 是一款高性能的 N 沯道 MOSFET 功率晶体管，采用先进的制造工艺以确保卓越的电气性能和可靠性。该器件适用于需要高效率和低导通电阻的应用场景。它具有较小的封装尺寸，便于在紧凑型设计中使用，并支持高频开关操作。
最大漏源电压：60V
持续漏极电流：12A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：15nC
总电容：350pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
DMT6012LSS 提供了出色的导通电阻与栅极电荷比，从而实现了高效的功率转换。其小型化封装有助于节省印刷电路板空间，同时其高电流承载能力使其非常适合用于工业和汽车领域中的负载切换、电机驱动及 DC-DC 转换等应用。
此外，这款 MOSFET 的快速开关特性减少了开关损耗，提高了整体系统效率。它的耐热增强型封装进一步提升了散热性能，保证了在高温环境下的稳定运行。
DMT6012LSS 广泛应用于多种电力电子设备中，包括但不限于开关模式电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及各类电池管理系统（BMS）。由于其具备高效率和高可靠性的特点，因此也特别适合电动车、工业自动化和其他要求严苛的场景。
DMT6012LSE, DMT6012LSC
