时间：2025/6/17 4:35:50
阅读：6
GA1812Y273JXAAT31G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高性能功率晶体管，广泛应用于高频开关电源、电机驱动、DC-DC转换器和无线充电等场景。该器件采用了先进的GaN-on-Silicon工艺，具备高效率、低导通电阻和快速开关速度等特点，能够在高频条件下实现卓越的性能表现。
其封装形式为行业标准的表面贴装类型，便于自动化生产及散热设计。由于其出色的电气特性，该芯片特别适合需要高效能与小型化设计的应用领域。
型号：GA1812Y273JXAAT31G
类型：增强型场效应晶体管（eGaN FET）
最大漏源电压(Vds)：600V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：40mΩ（典型值，在特定条件下）
连续漏极电流(Id)：12A
功耗：15W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：QFN 8x8mm
输入电容(Ciss)：980pF
1. 高效的氮化镓技术，提供更低的导通电阻和更高的开关频率。
2. 超快的开关速度，有效减少开关损耗。
3. 具备优异的热稳定性，确保在高温环境下的可靠运行。
4. 封装紧凑且易于集成，非常适合空间受限的设计。
5. 内置多重保护机制，包括过流保护和短路保护，提升系统的整体安全性。
6. 可直接替代传统硅基MOSFET，无需额外电路调整。
1. 开关电源(SMPS)中的功率变换模块。
2. 工业级电机驱动和控制单元。
3. 新能源汽车充电桩的核心功率元件。
4. 高频DC-DC转换器及逆变器。
5. 笔记本电脑及手机快速充电解决方案。
6. 射频放大器以及工业微波设备。
7. 无线充电发射端与接收端功率管理模块。
GS66508T, TPH2R006PAECS, KGD65R060MDL
