时间：2025/7/26 6:29:39
阅读：4
IXFP102N15T是一款由IXYS公司制造的高功率N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电流、高电压应用。该MOSFET具有低导通电阻和高开关速度，适用于电源管理、逆变器、电动机控制和工业自动化等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：150V
连续漏极电流（Id）：102A
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大值为8.2mΩ
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-264
IXFP102N15T具有极低的导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。此外，该器件具有高电流容量和优异的热性能，能够在高负载条件下稳定运行。其高速开关特性使其适用于高频应用，从而减少外部元件的尺寸和成本。该MOSFET还具有良好的雪崩能量耐受能力，提高了系统的可靠性和稳定性。
此外，该器件采用了先进的制造工艺，确保了在极端工作条件下的稳定性和耐用性。其封装设计有助于有效的散热，确保在高功率应用中的长期可靠性。此外，该MOSFET具有较高的dv/dt耐受能力，能够在高电压变化率环境下安全运行。
IXFP102N15T广泛应用于电源转换系统、电机驱动器、UPS（不间断电源）、逆变器、焊接设备以及工业自动化控制系统。它还适用于需要高功率密度和高效率的直流-直流转换器和交流-直流转换器。在电动车和可再生能源系统中，如太阳能逆变器和风力发电系统中，该MOSFET也具有广泛的应用前景。
IXFH100N15T, IXFK100N15T, IRFP4468PBF
