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GA1812A562FXAAT31G 发布时间 时间:2025/6/4 14:46:01 查看 阅读:5

GA1812A562FXAAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻和快速开关特性,适合用于各种电源转换和电机驱动场景。
  其封装形式为行业标准的表面贴装类型,能够有效降低系统热阻并提高散热性能。此外,GA1812A562FXAAT31G 还具备良好的静电防护能力,确保在复杂电磁环境下的可靠性。

参数

型号:GA1812A562FXAAT31G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):12A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ (典型值,@ Vgs=10V)
  总功耗(Ptot):75W
  工作温度范围(Top):-55°C 至 +175°C
  封装:TO-263 (D2PAK)

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),减少导通损耗,提升整体效率。
  2. 快速开关速度,支持高频操作,适用于开关电源、DC-DC转换器等应用。
  3. 高雪崩能量能力,增强器件在异常情况下的耐受性。
  4. 内置防反接二极管,简化电路设计并提供额外保护。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  6. 优化的热性能设计,改善长时间运行时的稳定性。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流或降压/升压控制。
  3. 电机驱动电路中的功率级开关。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 太阳能逆变器及电池管理系统中的功率管理模块。
  6. 各类消费电子产品中的高效功率转换解决方案。

替代型号

GA1812A562FXAAQ31G
  IRFZ44N
  FDP5800
  STP12NF06L

GA1812A562FXAAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容5600 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-