时间：2025/5/15 11:15:06
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GA1812A560FBHAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET，适用于高效率、高频率开关电源和电机驱动等应用场景。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，可显著提升系统的整体性能。
该芯片封装为 TO-247-3，适合大功率散热需求，同时支持多种保护功能以确保在复杂工况下的稳定运行。
类型：功率 MOSFET
导通电阻（Rds(on)）：56mΩ
漏源电压（Vds）：120V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：94A
脉冲漏极电流（Id, peak）：320A
功耗：200W
封装：TO-247-3
GA1812A560FBHAR31G 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低导通损耗并提升系统效率。
2. 支持高频率操作，适用于高频开关电源设计。
3. 内置热保护和过流保护功能，提高了器件在异常情况下的可靠性。
4. 高雪崩能量耐受能力，确保在负载突变时的稳定性。
5. 采用坚固耐用的 TO-247-3 封装形式，散热性能优异。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保设计。
这款功率 MOSFET 特别适合需要高效能转换的应用场景，例如工业级 DC-DC 转换器、太阳能逆变器以及电动汽车牵引逆变器等。
GA1812A560FBHAR31G 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动电路，如无刷直流电机控制。
3. 太阳能逆变器及储能系统。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 电动汽车和混合动力汽车的电驱系统。
6. 高效 LED 照明驱动电路。
其卓越的性能使其成为许多高要求应用的理想选择。
GA1812A560FBHAR30G, IRFP260N, FDP18N12E
