时间：2025/9/1 14:52:59
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IS61QDPB41M36A-400M3L是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速、低功耗、双端口同步静态随机存取存储器（SRAM），属于QDR（Quad Data Rate）SRAM系列。该器件采用先进的CMOS工艺制造，具有高性能和可靠性，适用于需要高速数据访问和低延迟的应用场景。该型号的存储容量为144Mbit（36位宽），工作频率可达400MHz，适用于网络通信、数据交换、缓存存储等领域。
存储类型：同步双端口SRAM
容量：144Mbit（1M x 36位）
接口类型：QDR II
访问时间：400MHz
电源电压：2.3V - 3.6V
封装类型：BGA
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
输入/输出电压兼容性：3.3V兼容
功耗：低功耗设计
数据总线宽度：36位
IS61QDPB41M36A-400M3L具备多个显著特性。首先，其QDR（Quad Data Rate）架构允许在时钟的上升沿和下降沿进行数据传输，从而实现每个时钟周期四次数据传输，显著提高了数据吞吐率。该器件的双端口设计允许两个独立的处理器或控制器同时访问存储器，而不会产生冲突，这在需要高并发访问的系统中非常有用。
该SRAM采用高速CMOS工艺，确保了在高频操作下的稳定性和可靠性。其最大工作频率为400MHz，能够满足高速缓存和实时数据处理的需求。此外，该芯片支持低功耗模式，有助于延长电池供电设备的使用寿命。
IS61QDPB41M36A-400M3L采用BGA封装形式，适用于表面贴装工艺，适合高密度PCB设计。其工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于各种严苛环境下的应用，如工业控制、通信设备和汽车电子系统。
该器件还具备异步复位功能，可在系统初始化时确保存储器处于已知状态。此外，它支持多种测试和诊断功能，便于系统调试和维护。
IS61QDPB41M36A-400M3L广泛应用于需要高速数据存储和访问的场合。常见的应用包括网络交换设备、路由器缓存、高性能计算系统、数据通信设备、工业控制系统、测试与测量仪器以及汽车电子系统。由于其高带宽和低延迟特性，该芯片特别适用于需要快速数据处理和实时响应的场景。
IS61QDPB41M36A-400M3L的替代型号包括IS61QDPB41M36A-450M3L（更高频率版本）以及来自其他厂商如Cypress、Renesas和Microsemi的QDR SRAM产品，如CY7C1552KV、CY7C1513KV等。
