类型：MOS FET继电器（双向）
　　负载电压（最大值）：60V
　　连续通态电流（最大值）：560mA
　　接通电阻（最大值）：24Ω
　　输入正向电流（最大值）：50mA
　　输入反向电压：5V
　　输出耐压（最大值）：60V
　　隔离电压（最小值）：5000Vrms
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：SMD-4引脚
　　尺寸：约2.8×2.7×2.7mm

G3VM-41DR具备多项优异的技术特性，使其在众多光继电器产品中脱颖而出。首先，其采用MOSFET作为输出开关元件，实现了真正的双向导通能力，能够用于交流或直流负载的控制，极大地增强了应用灵活性。其次，该器件具有非常低的导通电阻（典型值低于20Ω，最大24Ω），这意味着在导通状态下功率损耗极小，有助于提高系统效率并减少发热，特别适合在高密度集成电路中使用。此外，G3VM-41DR的输入驱动电流需求极低，仅需几毫安即可完全导通，可直接由微控制器I/O口驱动，无需额外的驱动电路，简化了系统设计并降低了整体成本。该器件还具备出色的电气隔离性能，隔离电压高达5000Vrms，确保了高安全性，适用于对绝缘要求严格的工业和医疗设备。其响应速度快，开关时间通常在毫秒级别，远高于传统电磁继电器，能够满足高速信号切换的需求。G3VM-41DR采用超小型表面贴装封装（SMD-4），体积仅为2.8×2.7×2.7mm，极大节省了PCB空间，非常适合便携式设备和高密度板级设计。由于其无触点结构，不存在机械疲劳、接触弹跳或电弧问题，因此寿命远超传统继电器，可达数十万次甚至更高，可靠性极高。同时，该器件抗冲击和振动能力强，可在恶劣环境下稳定运行。最后，G3VM-41DR符合RoHS指令，不含铅等有害物质，并支持回流焊工艺，适应现代自动化生产流程。
　　G3VM-41DR还具备良好的热稳定性和长期稳定性，输出MOSFET结构在多次开关后性能衰减极小，保证了长时间运行的一致性。其输入侧采用高效率红外LED，即使在较低电流下也能有效触发输出，提高了能效。输出端内置保护机制，能够承受一定的过载和瞬态电压冲击，增强了鲁棒性。这些综合特性使得G3VM-41DR成为替代小型电磁继电器的理想选择，尤其适用于精密仪器、自动测试设备（ATE）、数据采集系统和通信模块中的信号路由与电源切换应用。

G3VM-41DR广泛应用于多个高科技和工业领域。在自动测试设备（ATE）中，它被用于多路复用器和信号开关系统，实现对被测器件的快速、精确控制。在工业自动化控制系统中，该器件可用于PLC模块、传感器接口和执行器驱动，提供可靠的无触点开关功能。在通信设备中，G3VM-41DR常用于音频/视频信号切换、线路选择和电源管理单元。医疗电子设备也大量采用此类光继电器，用于病人监测系统、诊断仪器中的安全隔离和信号传输。此外，在半导体制造设备、数据采集系统和嵌入式控制系统中，G3VM-41DR因其小尺寸、低功耗和高可靠性而备受青睐。其高速开关能力和电气隔离特性也使其适用于电池管理系统（BMS）、智能电表和安防系统中的信号隔离与负载控制。

G3VM-41D,G3VM-61D,G3VM-41DY