输出电压：1.8V
　　输出电流：最大300mA
　　输入电压范围：2.2V至6.0V
　　静态电流：典型值5.5μA
　　负载调整率：±2%
　　线性调整率：±0.05%/V
　　工作温度范围：-40°C至125°C
　　封装类型：WDFN-6（1.2mm x 0.8mm）

RT9166A18GG具有多项优异特性，首先其采用先进的CMOS工艺制造，具备非常低的静态电流（典型值为5.5μA），有助于延长电池寿命，非常适合用于低功耗应用。其次，该LDO内建PMOS功率晶体管，使得在轻载条件下仍能保持高效运行，并且具备良好的瞬态响应能力，能够迅速应对负载变化，确保输出电压的稳定性。
　　此外，RT9166A18GG集成了多项保护功能，包括过温保护（OTP）和过流保护（OCP），从而在异常工作条件下保护芯片免受损坏。该器件在输入电压范围2.2V至6.0V之间均可稳定工作，适应性强，适用于多种电源应用场景。
　　其采用的WDFN-6封装形式不仅体积小巧，还具有良好的热性能，使得芯片在高负载工作时依然能保持稳定运行。因此，RT9166A18GG特别适合用于空间受限的便携式电子产品，如智能手机、穿戴设备、物联网终端等。

RT9166A18GG广泛应用于需要稳定低压输出的小型电子设备中。典型应用包括电池供电设备的电源管理、微控制器（MCU）或数字信号处理器（DSP）的核心电源供电、无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙、ZigBee模块）的稳压电源、传感器供电系统以及各种低功耗嵌入式系统的电源解决方案。
　　此外，由于其快速瞬态响应能力和良好的负载/线性调整率，该LDO也常用于音频电路、射频前端模块和精密模拟电路的供电，以确保这些敏感电路能够获得干净、稳定的电源供应。

RT9166A18GQW、RT9166A18GB、LM1117-1.8、XC6206P182MR