PQ025EZ1HZP 时间：2025/8/28 8:17:43 阅读：12

PQ025EZ1HZP是一款由Toshiba（东芝）公司制造的功率MOSFET晶体管，专门设计用于高效率、高频开关应用。这款MOSFET采用先进的沟槽式技术，提供优异的导通性能和开关特性，适用于电源转换器、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用场景。

参数

型号：PQ025EZ1HZP
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　漏极电流（ID）：2.5A（连续）
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.15Ω @ VGS=4.5V
　　功率耗散（PD）：1.25W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-25

特性

PQ025EZ1HZP具有低导通电阻，确保在高电流应用中保持低功耗。该器件采用先进的沟槽式结构设计，提供了卓越的开关性能和高能效。其低栅极电荷（Qg）特性有助于减少高频开关时的驱动损耗，提高整体系统效率。
　　这款MOSFET的封装形式为SOT-25，体积小巧，适用于空间受限的设计。其较高的热稳定性和良好的抗静电能力（ESD）确保了在复杂环境中的可靠性。
　　此外，PQ025EZ1HZP的栅极驱动电压范围较宽，可在4.5V至8V之间正常工作，适用于多种控制电路设计。该器件还具备良好的线性工作区，适合用于线性稳压器或模拟开关等应用。

应用

PQ025EZ1HZP广泛应用于便携式电子设备中的电源管理系统，例如笔记本电脑、平板电脑和智能手机。在DC-DC转换器中，它用于高效的电压调节，提升能源利用率。此外，该MOSFET也适用于负载开关、LED驱动电路、电机控制模块以及工业自动化设备中的信号控制电路。
　　在电池管理系统中，PQ025EZ1HZP可作为高侧或低侧开关，实现对电池充放电的精确控制。其低导通电阻和快速开关特性使其成为高效能、低功耗设计的理想选择。