GA1812A392JXBAT31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率开关器件,广泛应用于电源管理、快充适配器和工业电源等领域。该芯片采用增强型 GaN 晶体管设计,具有低导通电阻和高速开关性能,能够在高频条件下实现高能效转换。
型号:GA1812A392JXBAT31G
封装形式:DFN8
导通电阻(Rds(on)):30mΩ(典型值)
击穿电压(Vds):650V
栅极驱动电压(Vgs):-4V 至 +6V
连续漏极电流(Id):12A(典型值)
开关频率:支持高达 2MHz
结温范围:-55℃ 至 +175℃
热阻(RθJA):45℃/W
GA1812A392JXBAT31G 具备卓越的电气性能和可靠性。其主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(30mΩ),可显著降低传导损耗。
2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
3. 支持宽范围的工作电压(650V 耐压),适用于多种输入电压场景。
4. 内置优化的 ESD 和短路保护功能,提升系统稳定性。
5. 小型化的 DFN8 封装,便于 PCB 布局并节省空间。
6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
7. 在高温环境下仍能保持稳定性能,适合严苛工况下的应用需求。
该元器件适用于以下领域:
1. USB PD 快充适配器及充电模块。
2. 开关电源(SMPS)和 AC-DC 转换器。
3. 电机驱动电路和逆变器。
4. 工业自动化设备中的高效电源管理系统。
5. LED 照明驱动器。
6. 数据中心及通信设备的辅助电源单元。
GA1812A390JXBAT31G
GA1812A395JXBAT31G
Infineon CoolGaN 600V 系列
Transphorm TPH3206WSG