类型：N沟道
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：20A
　　导通电阻(Rds(on))：0.045Ω
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

2SK504作为一款高性能的功率MOSFET，具有多项显著的技术优势。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为0.045Ω，这使得在高电流工作状态下，功率损耗大大降低，提高了整体系统的效率。此外，该器件的最大漏源电压为100V，最大连续漏极电流为20A，这意味着它能够处理较高的功率水平，适用于多种中高功率应用。
　　其次，2SK504具备良好的开关特性，具有较高的开关速度，这使其在高频开关电源和DC-DC转换器中表现出色。同时，该MOSFET采用了TO-220封装，这种封装形式不仅提供了良好的散热性能，还能有效防止热失效，提高了器件的可靠性。
　　在热稳定性方面，2SK504的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于多种复杂的工作环境。其栅极驱动电压范围为±20V，确保了在各种驱动电路中的稳定运行。此外，该器件还具有较强的抗过载能力，能够在短时间的过载情况下保持正常工作，避免了不必要的损坏。
　　最后，2SK504在设计上优化了内部结构，减少了寄生电容和电感，提高了高频响应能力，使得其在高频功率转换应用中表现优异。这一特性使其在音频功率放大器、电机控制、开关电源等领域中具有广泛的应用前景。

2SK504主要用于开关电源、DC-DC转换器、马达驱动器、音频功率放大器以及各类电源管理系统中。

IRFZ44N, 2SK2646, FDPF6N60