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GA1812A391JBBAR31G 发布时间 时间:2025/6/5 16:35:12 查看 阅读:23

GA1812A391JBBAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于高效率电源转换、电机驱动和负载开关等领域。该芯片采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压的特点,从而显著提升了系统的整体性能和可靠性。
  该器件适用于多种工业和消费电子场景,包括但不限于适配器、充电器、LED 驱动器以及通信电源等应用。其封装形式和电气特性经过优化设计,能够满足严格的能效标准和紧凑型设计需求。

参数

型号:GA1812A391JBBAR31G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):45A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
  总功耗(Ptot):170W
  工作温度范围(Topr):-55℃ to +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1812A391JBBAR31G 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速的开关速度,支持高频操作,适合于现代高效能电源解决方案。
  3. 强大的散热能力,通过优化的封装设计提升热性能。
  4. 内置静电防护功能,增强了器件在实际应用中的鲁棒性。
  5. 高雪崩击穿能力和高耐压性能,确保在极端条件下的稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。

应用

这款功率 MOSFET 芯片适用于多种领域,包括但不限于以下应用:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 消费类电子产品中的电池充电器和适配器。
  3. LED 照明驱动电路。
  4. 工业设备中的电机驱动和控制模块。
  5. 电信设备中的负载开关和电源管理单元。
  6. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。

替代型号

IRF540N
  FDP5800
  AOT290L

GA1812A391JBBAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容390 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-