您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SI1050X-T1-E3

SI1050X-T1-E3 发布时间 时间:2023/6/7 10:59:45 查看 阅读:172

类别:分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品

家庭:MOSFET,GaNFET - 单

系列:TrenchFET?

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 特点:逻辑电平门

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:86 毫欧 @ 1.34A, 4.5V

漏极至源极电压(Vdss):8V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1.34A

Id 时的 Vgs(th)(最大):900mV @ 250μA

闸电荷(Qg) @ Vgs:11.6nC @ 5V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) :585pF @ 4V

功率 - 最大:236mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SC-89-6, SOT-563F, SOT-666

包装:带卷 (TR)

资料

厂商
VISHAY

SI1050X-T1-E3推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SI1050X-T1-E3参数

  • 数据列表SI1050X
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)8V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C-
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C86 毫欧 @ 1.34A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)900mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs11.6nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds585pF @ 4V
  • 功率 - 最大236mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装SC-89-6
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI1050X-T1-E3TR