STQ2HNK60ZR 时间：2025/7/23 6:57:13 阅读：9

STQ2HNK60ZR是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的高性能IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片，广泛应用于工业电源、电机驱动、逆变器、不间断电源（UPS）等高功率场合。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降优势，适用于高效率、高频率的功率转换系统。STQ2HNK60ZR采用了先进的沟槽栅和场截止技术，确保了在高工作频率下的稳定性和效率。

参数

类型：IGBT
　　集电极-发射极电压（Vce）：600V
　　额定集电极电流（Ic）：40A（Tc=100°C）
　　短路耐受能力：600V/40A
　　导通压降（Vce_sat）：约1.7V（典型值，Ic=40A时）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247
　　栅极驱动电压：+15V/-15V
　　短路电流能力：典型值60A
　　最大功耗：300W

特性

STQ2HNK60ZR具有优异的动态和静态性能。其采用的场截止（Field Stop）技术显著降低了开关损耗，提高了整体系统的能效。此外，该IGBT在短路条件下具有良好的稳定性，能够在短时间内承受超过额定值的电流，从而增强系统的可靠性和抗故障能力。沟槽栅结构优化了栅极电荷，降低了开关损耗，并提高了导通性能。该器件还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下长时间工作而不影响性能。
　　另一个关键特性是其出色的抗电磁干扰（EMI）能力，这得益于其内部结构设计和封装工艺。STQ2HNK60ZR在高dv/dt环境下依然保持稳定工作，避免了误触发和栅极振荡问题。此外，该器件具备良好的并联能力，适用于需要多个IGBT并联以提高功率等级的应用场景。

应用

STQ2HNK60ZR广泛应用于各种高功率电子系统中，包括工业电机驱动器、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、感应加热设备、焊接机以及电动汽车充电系统等。由于其具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性，该器件特别适合用于需要频繁开关操作的场合，例如变频器和伺服驱动器。此外，在新能源汽车领域，STQ2HNK60ZR也可用于车载充电器和DC-DC转换器等关键部件。