时间：2025/7/3 18:32:09
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GA1210Y823KBJAT31G 是一款高性能的功率MOSFET器件，专为高频开关应用设计。该型号采用先进的半导体制造工艺，能够提供较低的导通电阻和较高的开关速度，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等领域。
该芯片具有出色的热性能和电气性能，能够在高电流和高电压环境下稳定运行，同时具备良好的抗电磁干扰能力。
型号：GA1210Y823KBJAT31G
类型：N沟道增强型MOSFET
封装形式：TO-247
最大漏源电压(Vds)：1200V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：0.06Ω
总功耗(Ptot)：300W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
栅极电荷(Qg)：100nC
反向恢复时间(trr)：80ns
GA1210Y823KBJAT31G 的主要特性包括：
1. 高耐压能力：支持高达1200V的工作电压，适合高压环境下的应用。
2. 低导通电阻：仅为0.06Ω，有效降低功率损耗。
3. 快速开关速度：具有较小的栅极电荷和快速的反向恢复时间，适用于高频电路。
4. 高可靠性：经过严格的质量控制和测试，确保在恶劣环境中的长期稳定性。
5. 热性能优越：优化的封装设计提升了散热能力，使芯片能够在高功率条件下保持较低的工作温度。
6. 大电流承载能力：支持最高50A的持续漏极电流，满足大功率应用需求。
该芯片适用于以下场景：
1. 开关电源(SMPS)：作为主开关管，用于AC-DC和DC-DC转换。
2. 逆变器：在太阳能逆变器和UPS系统中充当功率转换的核心元件。
3. 电机驱动：为工业自动化设备和家用电器中的电机提供高效驱动。
4. PFC电路：在功率因数校正电路中实现高效的能量传输。
5. 充电器：用于电动车充电器、笔记本电脑适配器等高功率充电设备。
6. 工业控制：应用于各类工业设备中的电源管理和信号处理部分。
GA1210Y823KBJAT32G, IRFP460, STW93N120K5
