2SJ284-TB 时间：2025/9/20 20:48:37 阅读：6

2SJ284-TB是一款由东芝（Toshiba）生产的P沟道MOS场效应晶体管（MOSFET），主要用于开关和放大应用。该器件采用先进的沟槽式结构技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点，适用于便携式设备、电源管理单元以及DC-DC转换器等对效率和空间要求较高的电子系统中。2SJ284-TB封装在小型表面贴装SOT-23（TB）封装中，有助于节省印刷电路板（PCB）空间，同时支持自动化装配工艺，适合现代高密度电子产品设计。该MOSFET在关断状态下可承受最高-30V的漏源电压（VDS），并具备一定的雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态条件下的可靠性。其栅极阈值电压典型值约为-1V至-2.5V，确保与逻辑电平信号兼容，便于直接由微控制器或其他数字IC驱动。此外，器件内部通常集成体二极管，可用于续流或反向电流保护。整体而言，2SJ284-TB是一款高性能、小尺寸的功率MOSFET，广泛用于消费类电子、工业控制及通信设备中的低压功率切换场景。

参数

型号：2SJ284-TB
　　极性：P沟道
　　最大漏源电压（VDS）：-30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-4.2A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（ IDM）：-12A
　　导通电阻RDS(ON)：45mΩ（@VGS=-10V）
　　导通电阻RDS(ON)：60mΩ（@VGS=-4.5V）
　　栅极阈值电压（Vth）：-1V ~ -2.5V
　　输入电容（Ciss）：500pF（@VDS=15V）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23（TB）
　　功耗（PD）：1W（@TA=25°C）

特性

2SJ284-TB采用先进的沟槽型MOSFET制造工艺，这种结构能够在较小的芯片面积上实现更低的导通电阻，从而显著提升器件的电流处理能力和能效表现。其RDS(ON)在VGS=-10V时仅为45mΩ，在同类P沟道MOSFET中属于较低水平，这意味着在导通状态下产生的功率损耗更小，尤其适用于电池供电设备以延长续航时间。
　　该器件具备优良的开关特性，由于输入电容（Ciss）仅为500pF左右，因此在高频开关应用中能够快速响应栅极驱动信号，减少开关延迟和过渡损耗，提高整体电源转换效率。此外，其栅极阈值电压范围为-1V至-2.5V，使得它不仅能够兼容3.3V或5V逻辑电平驱动，还能在低电压控制系统中稳定工作，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度。
　　2SJ284-TB的热性能也经过优化，尽管其封装为小型SOT-23，但在适当的PCB布局和散热设计下仍可承载高达4.2A的连续漏极电流。其最大结温可达+150°C，并具备良好的热关闭特性，防止因过热导致永久性损坏。器件还通过了可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环等，确保在恶劣环境下的长期稳定性。
　　安全性方面，2SJ284-TB内置寄生体二极管，可在感性负载切断时提供反向电流路径，避免电压尖峰损害其他元件。同时，其绝对最大额定值中包含了雪崩能量规格，表现出一定的抗冲击能力，适合应用于电机驱动、继电器控制等存在瞬态高压风险的场合。此外，产品符合RoHS环保标准，不含铅汞等有害物质，适用于全球市场的绿色电子产品设计需求。

应用

2SJ284-TB常被用于各类需要高效、紧凑型功率开关的电子设备中。一个典型的应用是作为同步整流器在降压型（Buck）DC-DC转换器中使用，特别是在输出侧配合N沟道MOSFET进行同步整流，替代传统肖特基二极管，大幅降低导通损耗，提高转换效率。此外，它也广泛应用于电池供电系统的电源开关控制，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的负载开关或电源通断管理模块，利用其低静态功耗和快速响应能力来实现节能待机与即时唤醒功能。
　　在便携式充电设备如移动电源中，2SJ284-TB可用于反向升压拓扑的同步整流部分，或者作为放电路径的控制开关，确保能量高效传递的同时限制反向漏电流。在工业领域，该器件适用于传感器供电控制、LED驱动电路、小型继电器或电磁阀的驱动接口，凭借其高可靠性和抗干扰能力保障系统稳定运行。
　　另外，2SJ284-TB还可用于热插拔电路设计中，作为后级电源的控制开关，配合限流和软启动电路，防止带电插拔时产生浪涌电流损坏主板或其他敏感元件。在多路电源选择电路中，它可以作为理想二极管使用，自动切换主备电源路径，提升系统的冗余性和可用性。由于其体积小巧且易于贴装，非常适合高密度PCB布局和自动化生产流程，广泛服务于消费电子、物联网终端、智能家居设备及小型工业控制器等多种应用场景。