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GA1210Y684JXJAT31G 发布时间 时间:2025/5/26 13:54:44 查看 阅读:13

GA1210Y684JXJAT31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,属于 N 沟道增强型器件。该芯片广泛应用于电源管理、电机驱动以及各种开关电路中。其设计能够承受高电压和大电流,并具有低导通电阻特性,从而提升了效率并降低了功耗。
  这款器件采用先进的半导体制造工艺,支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产。同时,它具备优异的热稳定性和电气性能,使其在工业、消费电子和汽车领域都有广泛应用。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:100A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:90nC
  开关时间:开启时间 25ns,关断时间 40ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:TO-247

特性

GA1210Y684JXJAT31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关能力,适用于高频应用环境。
  3. 高额定电流和电压规格,确保了在恶劣条件下的可靠运行。
  4. 出色的热性能,允许更高的功率密度和更小的设计尺寸。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  6. 稳定的电气特性和一致性,简化了设计流程并提高了产品可靠性。

应用

该芯片适用于多种应用场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. 电机驱动电路中的功率级控制。
  3. 工业自动化设备中的负载切换。
  4. 新能源汽车的逆变器和 DC-DC 转换器。
  5. 太阳能微逆变器和其他可再生能源相关产品。
  6. 高端音频放大器和信号调节模块中的功率输出级。

替代型号

IRF7739PBF
  FDP17N60E
  AON6612
  STP100NF06L

GA1210Y684JXJAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.68 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-