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IRL3303STRR 发布时间 时间:2025/7/1 23:27:41 查看 阅读:5

IRL3303STRR 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沃特 (N-Channel) 增强型功率 MOSFET,采用 SO-8 封装。该器件专为高频开关应用设计,具有低导通电阻和快速开关速度的特点。由于其出色的电气性能,IRL3303STRR 广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动器、电池保护电路以及其他功率管理相关领域。
  该器件的最大漏源电压为 30V,连续漏极电流可达 17A(在 Tc=25℃ 条件下)。此外,它还具备逻辑电平栅极驱动能力,可以与标准的 CMOS 或 LSTTL 输出接口兼容,从而简化了设计流程并降低了整体系统复杂度。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:17A
  栅源开启电压:2.5V
  导通电阻(典型值,在 Vgs=10V 时):9mΩ
  总功耗:26W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:SO-8

特性

IRL3303STRR 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,可有效减少功率损耗并提高效率。
  2. 快速开关速度,支持高频操作,适用于高效率转换应用。
  3. 高电流承载能力,能够满足多种功率需求场景。
  4. 逻辑电平栅极驱动兼容性,便于与现代数字控制电路集成。
  5. 宽广的工作温度范围,确保在极端环境下的可靠性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适合长期使用。
  这些特点使得 IRL3303STRR 成为许多功率电子应用的理想选择,尤其是在需要高效能和可靠性的场合。

应用

IRL3303STRR 的典型应用包括但不限于:
  1. 开关电源(Switching Power Supplies),例如 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动电路,用于小型直流电机或步进电机的控制。
  3. 电池保护电路,防止过流、短路等异常情况。
  4. 电信设备中的功率管理模块。
  5. 工业自动化设备中的功率开关。
  6. 各类消费电子产品中的负载切换功能。
  凭借其高性能和多功能性,IRL3303STRR 在众多行业和领域中都有广泛的应用前景。

替代型号

IRLZ34N, IRFZ34N

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IRL3303STRR参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C38A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C26 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs26nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds870pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.8W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装带卷 (TR)