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MMBT5550 SOT-23 发布时间 时间:2025/8/16 17:58:39 查看 阅读:9

MMBT5550是一款常用的NPN型晶体管,采用SOT-23封装,广泛应用于高频放大和开关电路中。这款晶体管由多个制造商生产,具有较高的电流增益和良好的高频特性,适合在低电压和中等功率应用中使用。

参数

类型:NPN晶体管
  封装形式:SOT-23
  最大集电极电流:100mA
  最大集电极-发射极电压:150V
  最大基极电流:5mA
  最大功耗:300mW
  增益带宽积:100MHz
  电流增益(hFE):在2mA集电极电流下为80-600
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

MMBT5550晶体管具有出色的高频性能,适用于需要快速开关和信号放大的电路。其SOT-23封装提供了较小的尺寸和良好的热性能,适用于表面贴装技术(SMT)设计。该晶体管的电流增益范围较宽,允许设计者根据具体需求选择合适的型号。此外,MMBT5550具备较高的集电极-发射极击穿电压(150V),使其在高压应用中表现稳定。该器件的功耗较低,能够在多种电源条件下可靠运行。由于其广泛的可用性和标准化设计,MMBT5550成为许多通用放大和开关电路的首选晶体管之一。
  MMBT5550还具有良好的温度稳定性,可在恶劣的环境条件下运行。其小型化封装设计不仅节省了PCB空间,还简化了电路设计。晶体管的制造工艺确保了较高的可靠性和一致性,降低了故障率,适用于工业和消费类电子应用。

应用

MMBT5550晶体管常用于高频放大器、信号开关、电压调节器和逻辑电路中。它适用于射频(RF)前端模块、低噪声放大器(LNA)以及各种通用放大电路。此外,该晶体管还广泛应用于消费电子产品、通信设备和工业控制系统中。其高压特性使其在需要较高集电极-发射极电压的应用中具有优势。

替代型号

BC547, 2N3904, MMBT3904

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