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GA1210Y684JBJAR31G 发布时间 时间:2025/6/3 22:49:55 查看 阅读:4

GA1210Y684JBJAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和逆变器等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升电路效率并降低功耗。
  该型号属于沟道增强型MOSFET,支持高频开关操作,并且具有良好的热稳定性和可靠性,适用于多种工业和消费类电子设备。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:50A
  导通电阻(典型值):1.5mΩ
  总功耗:100W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1210Y684JBJAR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有效减少传导损耗。
  2. 高速开关能力,栅极电荷较低,确保高效的开关性能。
  3. 良好的热稳定性,能够在极端温度条件下可靠运行。
  4. 内置ESD保护功能,提高了器件的抗静电能力。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  6. 支持大电流应用,适合需要高功率输出的场景。

应用

该型号广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换。
  2. 电机驱动和控制电路。  4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
  5. 工业自动化设备中的功率调节模块。
  6. 汽车电子中的负载切换和保护电路。

替代型号

GA1210Y684JBJAR32G
  IRFZ44N
  FDP5500
  STP55NF06L

GA1210Y684JBJAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.68 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-