时间：2025/5/14 18:04:10
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VND5T035AKTR-E 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于功率转换和开关应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特点，适用于多种工业和消费类电子设备。
这款 MOSFET 的封装形式为 TO-263（D2PAK），适合表面贴装技术（SMT），能够有效降低系统成本并提高可靠性。
最大漏源电压：55V
连续漏极电流：35A
导通电阻（典型值）：4.8mΩ
栅极电荷：107nC
开关时间：典型开启时间 19ns，典型关闭时间 27ns
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
VND5T035AKTR-E 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在大电流应用中减少功耗和热量产生。
2. 高额定电流能力，支持高达 35A 的连续漏极电流。
3. 快速的开关性能，确保在高频应用中具备高效的能量转换。
4. 良好的热稳定性，使其在高温环境下依然能保持稳定的工作状态。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 表面贴装封装形式，便于自动化生产和提高装配效率。
VND5T035AKTR-E 广泛应用于各种需要高效功率转换和开关的场景，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 电机驱动电路
4. 电池管理系统（BMS）
5. 工业逆变器
6. LED 照明驱动
7. 汽车电子系统中的负载切换
VND5T035AKTR-G, IRF3205, FDP5500
