时间：2025/6/21 18:37:15
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SI4854DY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管，采用 TrenchFET? 第三代技术制造。该器件具有极低的导通电阻和优化的开关性能，适合高频应用场合。其出色的电气特性和紧凑的封装形式使其成为众多功率转换和电源管理应用的理想选择。
型号：SI4854DY-T1-E3
类型：N 沟道 MOSFET
Vds（漏源极电压）：40 V
Rds(on)（导通电阻，最大值）：4.2 mΩ（Vgs=10V）
Id（连续漏极电流）：97 A
Qg（总栅极电荷）：36 nC
Eoss（输出电容能量损耗）：88 nJ
封装形式：TO-263-7 (DPAK)
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SI4854DY-T1-E3 使用先进的 TrenchFET? 技术设计，具备超低的导通电阻，能够有效降低导通损耗。此外，该器件具有较低的栅极电荷和输出电容，从而提升了开关效率并降低了开关损耗。
它支持高电流操作，适用于需要大功率处理的应用场景，并且具备良好的热稳定性和耐用性，能够在极端温度范围内可靠工作。
通过减少寄生效应和优化内部结构，SI4854DY-T1-E3 在高频应用中表现出优异的动态性能，同时简化了电路设计和布局FET 器件广泛应用于 DC/DC 转换器、负载点（POL）转换器、电机驱动、电池保护电路以及通信系统的电源模块等领域。
在工业领域，它可以用于逆变器、不间断电源（UPS）、太阳能微逆变器等功率密集型设备。
消费类电子应用包括笔记本电脑适配器、平板电脑充电器以及其他高效能便携式设备的电源管理解决方案。
此外，由于其耐高温能力，它也适合汽车级应用，例如。
SI4854DY, IRFH5301TRPBF, FDP55N06L
