类型：齐纳二极管
　　封装形式：SOD-123
　　额定功率：300mW
　　标称齐纳电压：75V
　　齐纳电流（测试条件）：5mA
　　最大齐纳电流：24mA
　　最大反向漏电流：100nA（@ VR=10V）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

BZT52-C75_R1 的主要特性之一是其高精度的稳压性能。在标准测试条件下，其齐纳电压公差可控制在±2%以内，确保了电路工作的稳定性。此外，该器件的动态阻抗较低，有助于在负载变化时保持电压的稳定输出。
　　另一显著特性是其快速响应能力。由于采用了先进的硅半导体技术，BZT52-C75_R1 在电压突变时能够迅速导通，起到有效的电压钳位作用，从而保护后续电路不受损坏。
　　该器件还具有良好的温度稳定性。其温度系数较低，能够在较宽的温度范围内保持稳定的电压输出，适用于工作环境较为恶劣的应用场合。
　　封装方面，BZT52-C75_R1 采用SOD-123封装，具有较小的体积和良好的散热性能，适合用于高密度的电路板设计。此外，该封装形式也便于自动化贴片生产，提高了制造效率。

BZT52-C75_R1 主要用于需要稳定75V参考电压或电压钳位保护的电子电路中。例如，在电源管理电路中，它可以用作参考电压源，确保稳压器或其他控制电路的正常工作。
　　在工业控制系统中，该齐纳二极管常用于保护敏感的模拟输入或数字接口，防止因电压浪涌或静电放电（ESD）而损坏设备。此外，它也广泛应用于通信设备、测试仪器以及汽车电子系统中，为关键电路提供可靠的电压限制保护。
　　在一些高精度测量仪器中，BZT52-C75_R1 还可以作为基准电压源使用，提供稳定的参考点以确保测量的准确性。由于其良好的温度稳定性和长期可靠性，该器件也常用于需要长时间稳定工作的应用场合，如不间断电源（UPS）、电池管理系统和传感器接口电路等。

BZT52C75-TP、MMBZ52C75LT1G、1N4756A、BZT52-C75