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GA1210Y683KBCAT31G 发布时间 时间:2025/5/30 13:57:40 查看 阅读:10

GA1210Y683KBCAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,通常用于电源管理、电机驱动以及开关应用。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  该芯片适用于需要高效功率转换的场景,例如 DC-DC 转换器、逆变器、负载开关等应用。其封装形式紧凑,适合空间受限的设计需求。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:3mΩ
  栅极电荷:50nC
  开关速度:超快
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:TO-263

特性

GA1210Y683KBCAT31G 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷,使其非常适合高频开关应用。
  3. 高电流处理能力,可支持高达 40A 的连续漏极电流。
  4. 紧凑型封装设计,节省 PCB 空间。
  5. 宽工作温度范围,确保在极端环境下的可靠运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子产品中。

应用

GA1210Y683KBCAT31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的功率转换。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  4. 工业自动化设备中的负载控制。
  5. 汽车电子系统中的电池保护和负载切换。
  6. 太阳能逆变器和其他新能源相关应用。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5800
  AUIRF7844TRPBF

GA1210Y683KBCAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.068 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-