时间：2025/7/12 15:58:58
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IPD50N03S2-07-UDU 是一款基于硅基的 N 沃特肖特二极管功率场效应晶体管（MOSFET），专为高频开关应用设计。该型号采用先进的屏蔽栅极技术，优化了导通电阻和开关性能之间的平衡，适用于高效率、高速度的电力电子转换场景。
这款 MOSFET 具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热稳定性，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和其他功率管理电路中。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：50A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：35nC
输入电容：1640pF
反向恢复时间：9ns
工作温度范围：-55℃ to +175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）确保在大电流条件下降低功率损耗。
2. 快速开关性能，具有较低的栅极电荷和反向恢复时间，适合高频应用。
3. 高雪崩能力和坚固的热稳定性，提升了器件的可靠性和耐用性。
4. 小型化封装（如 UDU 封装）有助于节省 PCB 空间并简化散热设计。
5. 符合 RoHS 标准，支持环保制造工艺。
6. 提供卓越的动态性能，能够在复杂的工作条件下保持高效运行。
IPD50N03S2-07-UDU 广泛应用于多种功率电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率级开关。
2. 电动车辆（EV/HEV）中的电机驱动控制。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. DC-DC 转换器中的同步整流。
5. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
6. 通信电源系统中的高频功率管理。
7. 电池管理系统（BMS）中的保护电路。
IPD50N03L, IPD40N03S2, IRF540N
