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GA1210Y154JBXAT31G 发布时间 时间:2025/5/26 13:50:58 查看 阅读:14

GA1210Y154JBXAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用领域。该芯片采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升系统的效率和性能。
  该型号中的部分字符代表不同的封装形式、电压等级和电气特性,具体需要结合产品数据手册进行详细解读。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
  漏源极耐压(Vds):120V
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2.5V
  连续漏极电流(Id):100A
  封装形式:TO-247
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

GA1210Y154JBXAT31G 具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低导通损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用场景。
  3. 优异的热稳定性,在高温环境下依然保持可靠性能。
  4. 小型化设计与大电流承载能力兼顾,适用于紧凑型设计需求。
  5. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。

应用

该芯片广泛应用于多种电子设备中,包括但不限于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS),提供高效的电能转换。
  2. 电机驱动电路,用于控制直流无刷电机或步进电机。
  3. DC-DC转换器,实现电压调节功能。
  4. 电池管理系统(BMS),用作保护和切换元件。
  5. 工业自动化设备,如逆变器、变频器等。

替代型号

IRFP2907ZPBF, FDP18N120ACP, STW86N120K5

GA1210Y154JBXAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.15 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-