时间：2025/6/6 18:34:20
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GA1210Y564MBXAT31G 是一款高性能的存储芯片，属于 NAND Flash 存储器系列。该型号采用先进的制程工艺制造，具备高密度、低功耗和快速读写的特点，广泛应用于消费电子、工业控制及嵌入式系统等领域。
此芯片具有多平面操作功能，可显著提高数据吞吐量，并支持多种接口协议以适应不同的应用场景。其内部结构设计优化了数据可靠性和使用寿命，适用于需要大容量存储且对性能要求较高的设备。
类型：NAND Flash
容量：128GB
接口：Toggle Mode 2.0
电压：1.8V
封装：BGA
工作温度：-40℃ 至 +85℃
页面大小：16KB
区块大小：2MB
擦写周期：3000次
GA1210Y564MBXAT31G 提供出色的性能表现，主要体现在以下几个方面：
1. 高速读写能力：支持 Toggle Mode 2.0 接口协议，能够实现更快的数据传输速度。
2. 数据可靠性：内置 ECC（错误校正码）引擎，确保数据存储过程中最大限度减少误码率。
3. 低功耗设计：采用先进的制程技术，在保证性能的同时有效降低能耗。
4. 多种保护机制：具备磨损均衡算法、坏块管理以及断电保护等功能，延长产品寿命并提升使用稳定性。
5. 广泛的工作温度范围：能够在 -40℃ 至 +85℃ 的环境下正常运行，满足不同场景下的应用需求。
GA1210Y564MBXAT31G 可用于以下领域：
1. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、数码相机等，提供大容量存储支持。
2. 工业与嵌入式系统：在工业控制、医疗设备、安防监控等场景中作为主存储介质。
3. 固态硬盘 (SSD)：作为 SSD 的核心组件之一，为计算机和其他设备提供高速存储解决方案。
4. 车载电子系统：适用于导航仪、行车记录仪等车载设备，保障数据的安全性和可靠性。
5. 物联网 (IoT) 设备：为各类智能终端提供稳定高效的存储功能。
GA1210Y564MBXAT30G, GA1210Y564MBXAT32G
