GA1210Y564MBXAT31G 是一款高性能的存储芯片,属于 NAND Flash 存储器系列。该型号采用先进的制程工艺制造,具备高密度、低功耗和快速读写的特点,广泛应用于消费电子、工业控制及嵌入式系统等领域。
此芯片具有多平面操作功能,可显著提高数据吞吐量,并支持多种接口协议以适应不同的应用场景。其内部结构设计优化了数据可靠性和使用寿命,适用于需要大容量存储且对性能要求较高的设备。
类型:NAND Flash
容量:128GB
接口:Toggle Mode 2.0
电压:1.8V
封装:BGA
工作温度:-40℃ 至 +85℃
页面大小:16KB
区块大小:2MB
擦写周期:3000次
GA1210Y564MBXAT31G 提供出色的性能表现,主要体现在以下几个方面:
1. 高速读写能力:支持 Toggle Mode 2.0 接口协议,能够实现更快的数据传输速度。
2. 数据可靠性:内置 ECC(错误校正码)引擎,确保数据存储过程中最大限度减少误码率。
3. 低功耗设计:采用先进的制程技术,在保证性能的同时有效降低能耗。
4. 多种保护机制:具备磨损均衡算法、坏块管理以及断电保护等功能,延长产品寿命并提升使用稳定性。
5. 广泛的工作温度范围:能够在 -40℃ 至 +85℃ 的环境下正常运行,满足不同场景下的应用需求。
GA1210Y564MBXAT31G 可用于以下领域:
1. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、数码相机等,提供大容量存储支持。
2. 工业与嵌入式系统:在工业控制、医疗设备、安防监控等场景中作为主存储介质。
3. 固态硬盘 (SSD):作为 SSD 的核心组件之一,为计算机和其他设备提供高速存储解决方案。
4. 车载电子系统:适用于导航仪、行车记录仪等车载设备,保障数据的安全性和可靠性。
5. 物联网 (IoT) 设备:为各类智能终端提供稳定高效的存储功能。
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