时间：2025/5/26 21:38:07
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TF050N03NG是一款N沟道MOSFET功率晶体管，采用TO-263封装形式。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景，具有低导通电阻和高效率的特性。其耐压为30V，适用于低压大电流的应用场合。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：58A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：97nC
开关速度：快速
功耗：125W
工作温度范围：-55℃至150℃
TF050N03NG具有非常低的导通电阻，能够有效降低传导损耗，从而提升整体系统的效率。此外，该器件具备较高的雪崩击穿能力，能够在异常条件下提供额外保护。其优化的栅极电荷设计也确保了更快的开关速度，减少了开关损耗。
由于采用了先进的制造工艺，该MOSFET还拥有出色的热稳定性和可靠性，在高温环境下依然能保持良好的性能表现。
此外，TO-263封装具有较低的热阻，有助于提高散热效率，适合功率密度要求较高的应用。
该芯片广泛用于开关电源(SMPS)中的同步整流电路、DC-DC转换器的功率级控制、电池管理系统(BMS)中的负载开关以及各类电机驱动场景。同时，它也非常适合工业自动化设备中的功率管理模块和消费类电子产品的高效能转换电路。
IRFZ44N, FDP5580, STP55NF03L
