时间：2025/5/7 11:51:47
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NST3904DXV6T1G 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产。该器件通常用于开关和功率管理应用中，具有低导通电阻、高效率和出色的热性能。
这款 MOSFET 采用 DPAK 封装（TO-252），适合表面贴装技术（SMT）。它广泛应用于电源管理、电机驱动、负载切换等领域。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：8A
导通电阻（Rds(on)）：55mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：11nC（典型值）
开关速度：快速开关
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
NST3904DXV6T1G 具有以下主要特性：
1. 高效的功率传输能力，低导通电阻减少了功率损耗。
2. 快速开关速度，适用于高频应用。
3. 强大的散热性能，适合高功率密度设计。
4. 安全工作区宽广，能够在恶劣环境下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子制造需求。
6. 表面贴装封装，易于自动化生产和安装。
7. 热稳定性良好，能够承受高温环境下的长时间运行。
NST3904DXV6T1G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电池管理系统中的负载开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 工业自动化设备中的功率控制。
5. 汽车电子系统中的负载切换。
6. LED 驱动器中的电流调节元件。
7. 各种需要高效功率转换和控制的应用场景。
NTMFS4904N, IRFZ44N
