GA1210Y474JXJAR31G 是一款高性能的钽电容器,广泛应用于需要稳定性和可靠性的电子电路中。该电容器采用了固体钽材料作为阳极,并使用导电性高分子材料作为阴极,从而实现了低ESR(等效串联电阻)和高纹波电流承载能力。
这类钽电容器通常用于电源滤波、去耦以及高频信号处理等场合,能够显著提高电路的稳定性和抗干扰能力。
容量:47μF
额定电压:4V
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装类型:贴片 (SMD)
尺寸:1210 (3.2mm x 2.5mm)
ESR(最大值):30mΩ
耐纹波电流:1.6A(@100kHz, 20℃)
寿命:1000小时(@+125℃)
GA1210Y474JXJAR31G 具备以下显著特性:
1. 高稳定性:由于采用固体钽材料,即使在高温或潮湿环境下也能保持性能稳定。
2. 超低ESR:其等效串联电阻较低,可以有效减少能量损耗并改善电路响应速度。
3. 小型化设计:1210封装使其适合紧凑型设计需求。
4. 宽温度范围:支持从低温到高温的广泛操作环境,确保在极端条件下的可靠性。
5. 高纹波电流承载能力:能够在高频条件下承受较大的纹波电流,适用于复杂的电源管理应用。
该电容器主要应用于以下几个领域:
1. 电源管理模块中的滤波和去耦。
2. 数字信号处理器 (DSP) 和微控制器单元 (MCU) 的电源输入端稳压。
3. 高频放大器及射频前端电路中的信号调节。
4. 工业自动化设备和通信基础设施中的关键节点保护。
5. 汽车电子系统中的噪声抑制和能量缓冲。
AVX TPSD1C475M016T,
Kemet T520X475K016AT,
Vishay 686B475M016-BE