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GA1210Y334MBBAR31G 发布时间 时间:2025/5/26 15:18:21 查看 阅读:11

GA1210Y334MBBAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够有效提高系统效率并减少能量损耗。
  这款功率MOSFET适用于需要高效能和可靠性的应用场景,其封装形式和电气特性经过优化设计,可以满足多种工业和消费类电子设备的需求。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):12V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):100A
  导通电阻(Rds(on)):3.3mΩ(在Vgs=10V时)
  功耗:50W
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1210Y334MBBAR31G具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于降低导通损耗,提升整体系统效率。
  2. 高速开关性能,支持高频应用场合,减少开关损耗。
  3. 出色的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定的性能表现。
  4. 强大的浪涌电流承受能力,确保在异常条件下不会轻易损坏。
  5. 小尺寸封装设计,节省PCB板空间,适合紧凑型设计需求。
  6. 符合RoHS标准,环保且适用于全球市场。

应用

GA1210Y334MBBAR31G主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率级控制。
  2. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
  3. 电动工具、家用电器等电机驱动电路。
  4. 工业自动化设备中的负载开关。
  5. 新能源汽车中的电池管理系统(BMS)及逆变器驱动。
  6. 各种过流保护和快速切换场景。

替代型号

IRF3205
  STP120NF10L
  FDP16N10

GA1210Y334MBBAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.33 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-