时间：2025/8/9 8:02:38
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K1881-S 是一款由韩国公司KEC（Korea Electronics）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用高密度工艺制造，具有较低的导通电阻和良好的热稳定性，适合高效率和高频率的开关应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：8A
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：≤0.023Ω @ Vgs=10V
栅极电荷：17nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
K1881-S 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低功率损耗并提高整体系统效率。在VGS为10V时，Rds(on)的最大值为0.023Ω，使其在同类型MOSFET中具备竞争力。此外，该器件的最大漏极电流为8A，漏源电压为60V，使其适用于中等功率应用，例如DC-DC转换器、电池管理系统和电机控制电路。
另一个显著的特性是其较高的栅极电压容限，最大栅源电压为±20V，这为设计者提供了更大的操作灵活性，并减少了栅极驱动电路设计的复杂性。该MOSFET的栅极电荷为17nC，这一参数对于高频开关应用尤为重要，因为它影响开关速度和开关损耗。
在热性能方面，K1881-S 采用了TO-220封装，这种封装形式具有良好的散热能力，能够在高功率工作条件下保持稳定。此外，其工作温度范围为-55°C至150°C，适用于各种工业和汽车环境。
K1881-S 常用于多种功率电子系统中，特别是在需要高效率和良好热管理的场合。其典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电池充电和管理系统、电机驱动器以及LED照明控制电路。由于其低导通电阻和较高的电流能力，该MOSFET特别适合用于高频率开关应用，以减少能量损耗并提高系统效率。
在消费类电子产品中，K1881-S 可用作负载开关或电源管理器件，例如在电源适配器、充电器和智能插座中。在工业自动化和控制系统中，它可以用于控制电机、继电器和电磁阀等执行器。此外，该器件还适用于太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块，以实现高效的能量转换。
在汽车电子领域，K1881-S 可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车灯控制模块等应用。由于其宽工作温度范围和良好的稳定性，该MOSFET能够在苛刻的汽车环境中可靠运行。
Si2302DS, IRFZ44N, FQP8N60
