CF32007NW 时间：2025/7/26 10:26:51 阅读：32

CF32007NW 是一款由 Central Semiconductor 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的平面技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、马达控制以及电源管理系统。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：20V
　　最大漏极电流（ID）：110A（在 25°C 下）
　　导通电阻（RDS(on)）：7.8mΩ（最大值，VGS = 10V）
　　封装类型：TO-220AB
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C

特性

CF32007NW 的主要特性包括低导通电阻、高电流容量和快速开关速度。该器件采用先进的沟槽技术，确保在高频率操作下的低损耗。其 TO-220 封装提供了良好的热性能，便于散热，适用于高功率密度设计。此外，CF32007NW 具有低栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，提高系统效率。其高雪崩能量耐受能力也使其在电机驱动和感性负载切换中表现优异。
　　该 MOSFET 的栅极驱动要求较低，可以在较宽的 VGS 范围内稳定工作。此外，其良好的热稳定性与耐用性确保在高温环境下依然保持高性能。CF32007NW 符合 RoHS 环保标准，适用于工业级和汽车级电子设备。

应用

CF32007NW 广泛应用于多种电力电子系统，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统、电机控制、负载开关和电源分配系统。其高电流能力和低导通电阻使其成为高效率电源设计的理想选择。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及电池管理系统（BMS）等关键应用。此外，它也适用于工业自动化设备中的功率控制模块。