型号：RURP1512
　　制造商：Renesas Electronics
　　器件类型：集成式功率MOSFET模块
　　拓扑结构：同步降压（半桥）
　　上管MOSFET导通电阻（RDS(on)）：典型值 8.5mΩ（@VGS=10V）
　　下管MOSFET导通电阻（RDS(on)）：典型值 6.0mΩ（@VGS=10V）
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　连续漏极电流（ID）：15A（@TC=25°C）
　　峰值电流能力：40A
　　栅极驱动电压范围：4.5V ~ 12V
　　工作结温范围：-40°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：Power QFN 5x6mm
　　引脚数：8
　　热阻（RθJC）：典型值 1.5°C/W
　　开关频率支持：高达2MHz

RURP1512的核心特性之一是其高度集成的设计理念，将上管和下管MOSFET集成于单一封装内，极大减少了传统分立MOSFET方案所需的布局空间和寄生电感。这种集成方式不仅提升了功率密度，还改善了开关波形的完整性，降低了EMI噪声。其内部MOSFET采用先进的沟槽型功率MOS工艺制造，确保了低RDS(on)和优异的开关特性。在高负载条件下，低导通电阻直接转化为更低的传导损耗，从而提升转换效率并减少散热需求。
　　该器件的封装采用Power QFN技术，底部带有大面积裸露焊盘，能够通过PCB实现高效的热传导。热阻RθJC仅为1.5°C/W，表明其具备出色的热性能，可在高功率密度应用中保持较低的结温，延长器件寿命并提高系统可靠性。此外，封装设计优化了内部引线布局，减少了源极电感和栅极回路电感，有助于抑制开关过程中的电压振铃和栅极震荡，提升开关稳定性。
　　RURP1512支持高达2MHz的开关频率，适用于高频DC-DC变换器设计，有助于减小外部电感和电容的尺寸，进一步缩小整体电源体积。其栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（最低4.5V），可与多种控制器和驱动IC无缝配合。器件还具备良好的体二极管反向恢复特性，下管MOSFET的体二极管经过优化，可减少反向恢复电荷（Qrr），降低开关损耗，尤其在轻载或瞬态工况下表现更优。
　　在可靠性方面，RURP1512通过了严格的AEC-Q101认证（如适用），具备高抗雪崩能力，能够在异常电压应力下保持稳定。其工作结温可达+150°C，适用于高温工业环境。此外，器件在生产过程中经过100%的电气测试和热冲击测试，确保批次一致性与长期可靠性。这些特性使其成为高端电源系统中理想的功率级解决方案。

RURP1512广泛应用于对效率、功率密度和热性能有严格要求的电源系统中。典型应用包括服务器和数据中心的电压调节模块（VRM），用于为CPU、GPU和ASIC等高性能处理器提供稳定的低电压大电流供电。在这些应用中，多相并联使用RURP1512可以实现快速动态响应，满足处理器在负载突变时的电流需求。
　　此外，该器件也适用于通信基础设施设备，如基站、路由器和交换机中的POL（Point-of-Load）电源转换器。其高频开关能力和紧凑封装使其非常适合在空间受限的通信板卡上实现高效电源分布。
　　在工业自动化和嵌入式系统中，RURP1512可用于工业电源、电机控制单元和PLC模块的辅助电源设计。其宽温度范围和高可靠性确保在恶劣工业环境下长期稳定运行。
　　其他潜在应用还包括FPGA和DSP供电、测试测量仪器电源、以及高端消费类电子产品中的高效DC-DC转换。由于其集成度高、设计简洁，RURP1512有助于缩短产品开发周期，降低BOM成本，并提升整体系统能效。

RURP1515
　　RURP1012
　　ISL99114HRZ-TK
　　MPM3508A
　　TPS53679