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GA1210Y333JXLAT31G 发布时间 时间:2025/6/3 22:47:33 查看 阅读:8

GA1210Y333JXLAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,适用于各种开关电源、电机驱动和负载切换等应用。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高电流承载能力的特点,能够有效降低功耗并提升系统效率。
  该型号属于沟道增强型MOSFET,主要面向工业和汽车级应用领域。其封装形式为TO-263(D2PAK),支持表面贴装,有助于提高电路板的空间利用率及散热性能。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:85A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:74nC
  开关速度:典型值12ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:TO-263

特性

GA1210Y333JXLAT31G 具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,可减少导通损耗并提升整体效率。
  2. 高电流处理能力,满足大功率应用场景的需求。
  3. 良好的热稳定性,能够在极端温度条件下可靠运行。
  4. 快速开关速度,适合高频操作环境。
  5. 强大的抗静电能力(ESD),提升了产品的耐用性和可靠性。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  7. 表面贴装技术(SMT)兼容,简化了生产和装配流程。

应用

该型号广泛应用于多种电力电子领域,包括但不限于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. 直流-直流转换器的核心功率元件。
  3. 汽车电子系统中的负载开关。
  4. 工业控制设备中的电机驱动。
  5. 大功率LED驱动器中的关键组件。
  6. 各类电池管理系统的充放电控制环节。

替代型号

GA1210Y333JXLAT31,
  IRF3205,
  FDP15N10,
  AON6208,
  IXFN100N10T2

GA1210Y333JXLAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.033 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-