AO4803是一款由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道MOSFET,采用超小型DFN1x2-8封装。这款器件具有低导通电阻(Rds(on)),能够有效降低功耗并提升效率,适用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域的开关和负载驱动应用。
AO4803设计用于中低压环境下的高效电源管理场景,其极低的导通电阻特性使得它非常适合便携式设备中的电池供电电路,以减少能量损耗并延长电池寿命。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:3.5A
导通电阻:6.5mΩ
栅极电荷:6nC
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:DFN1x2-8
AO4803具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(6.5mΩ),有助于降低传导损耗。
2. 小型化的DFN1x2-8封装,节省PCB空间,适合紧凑型设计。
3. 高速开关性能,得益于较低的栅极电荷(6nC)。
4. 宽泛的工作温度范围(-55°C至150°C),适应各种严苛的应用环境。
5. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
AO4803广泛应用于以下领域:
1. 消费类电子产品,如智能手机和平板电脑中的负载开关。
2. 工业自动化与控制,例如电机驱动和继电器控制。
3. 通信设备中的电源管理模块。
4. DC-DC转换器及同步整流电路。
5. 电池供电设备中的功率管理部分,确保高效的能源利用。
AO3400A