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GA1210Y273MBAAT31G 发布时间 时间:2025/5/28 11:10:28 查看 阅读:10

GA1210Y273MBAAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功耗并提高系统效率。
  这款器件在设计上注重提升能效和可靠性,广泛适用于消费电子、工业控制以及汽车电子等领域的多种应用场景。

参数

型号:GA1210Y273MBAAT31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):120V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):31A
  导通电阻(Rds(on)):3.1mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总栅极电荷(Qg):85nC
  开关速度:快速
  封装形式:TO-247

特性

GA1210Y273MBAAT31G具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),可显著减少导通损耗,适合高电流应用。
  2. 高速开关性能,能够满足高频开关电路的需求。
  3. 良好的热稳定性,确保在高功率条件下运行时具有较高的可靠性。
  4. 具备强大的抗浪涌能力,适用于恶劣的工作环境。
  5. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
  6. 稳定的电气性能和较长的使用寿命,适合长期使用。

应用

GA1210Y273MBAAT31G广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)设计,用于提升效率和降低发热。
  2. DC-DC转换器中的主开关管或同步整流管。
  3. 各类电机驱动电路,包括步进电机、无刷直流电机等。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 汽车电子系统中的负载切换与保护。
  6. LED照明驱动电路,提供高效稳定的电流输出。

替代型号

GA1210Y273MBAAT31A, IRFZ44N, FDP18N12SBD

GA1210Y273MBAAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.027 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-