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GA1210Y223JXBAT31G 发布时间 时间:2025/5/22 11:29:42 查看 阅读:4

GA1210Y223JXBAT31G 是一款高性能的功率放大器芯片,广泛应用于射频通信领域。该芯片基于先进的 GaAs(砷化镓)工艺制造,能够提供高增益、高效率和低失真的信号放大性能。其设计主要针对无线通信系统中的基站设备、卫星通信以及雷达等应用。此外,该芯片还具有出色的线性度和稳定性,能够在宽温度范围内保持一致的性能表现。
  由于其优异的电气特性和紧凑的封装形式,GA1210Y223JXBAT31G 成为许多高要求应用的理想选择。

参数

工作频率范围:900 MHz 至 1200 MHz
  输出功率:40 dBm
  增益:15 dB
  效率:60%
  供电电压:5 V
  静态电流:200 mA
  封装形式:QFN-24

特性

GA1210Y223JXBAT31G 的主要特点包括:
  1. 高输出功率:能够在指定频段内提供高达 40 dBm 的输出功率,满足多种高功率应用需求。
  2. 宽带支持:覆盖从 900 MHz 到 1200 MHz 的频率范围,适合多种射频场景。
  3. 优秀的线性度:在高功率条件下仍能保持较低的互调失真水平,确保信号质量。
  4. 高效率:通过优化电路设计,芯片的整体效率达到 60%,降低能耗。
  5. 小型化封装:采用 QFN-24 封装,节省空间并简化 PCB 布局设计。
  6. 稳定性强:无论是在极端温度环境还是长时间运行中,均能保持稳定的工作状态。

应用

该芯片适用于以下应用场景:
  1. 无线通信基站:
   提供稳定的高功率信号放大功能,增强基站覆盖范围。
  2. 卫星通信:
   支持高可靠性、高效率的信号传输,满足航天级要求。
  3. 军用雷达:
   实现长距离探测所需的高功率信号发射。
  4. 专业对讲机:
   提升语音通信的质量与距离。
  5. 物联网设备:
   在需要大功率射频传输的物联网终端中发挥重要作用。

替代型号

GA1210Y223JXBAT32G
  GA1210Y223JXBAT33G

GA1210Y223JXBAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.022 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-