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GA1210Y222KBEAT31G 发布时间 时间:2025/6/3 11:29:41 查看 阅读:8

GA1210Y222KBEAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。该芯片具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够显著提升系统的效率与可靠性。其采用先进的制造工艺,封装形式为TO-263,具备良好的散热能力和机械稳定性。
  该器件适用于需要高效功率转换和严格温控的应用场合,例如工业设备、消费电子和通信系统中的电源管理部分。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:2.5mΩ
  总功耗:250W
  结温范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-263

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
  3. 强大的散热设计,支持高功率密度的应用。
  4. 优秀的抗雪崩能力和静电防护性能,增强了器件的可靠性。
  5. 符合RoHS标准,环保且兼容多种现代生产工艺。

应用

1. 开关电源模块中的功率开关元件。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关管。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 负载开关及保护电路。
  5. 工业自动化设备中的功率调节组件。

替代型号

IRFZ44N, FDP5580, AOT291L

GA1210Y222KBEAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2200 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-