SUM110N04-05H 是一款高压 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关电源、DC-DC 转换器和其他电力电子应用中。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高耐压特性,从而提升了效率和可靠性。
该型号属于高压 N 沣道 MOSFET 类型,其设计优化了在高频开关条件下的性能表现,同时能够承受较高的电压峰值。
最大漏源电压:400V
连续漏极电流:1.1A
导通电阻:7.5Ω
栅极电荷:28nC
开关速度:快速
封装类型:TO-263
SUM110N04-05H 的主要特性包括以下几点:
1. 高电压处理能力,适合需要承受较大电压波动的应用环境。
2. 极低的导通电阻,降低了功率损耗,提高了整体系统效率。
3. 快速开关能力,确保在高频工作条件下保持优异的性能。
4. 稳定性高,在极端温度范围内仍能提供可靠的性能输出。
5. 具有出色的热管理能力,减少了对额外散热设备的需求。
6. 封装形式紧凑,便于集成到各种类型的电路板设计中。
这款 MOSFET 广泛应用于多种电力电子领域,例如:
1. 开关电源 (SMPS) 中作为主开关元件。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. LED 驱动电路中的开关组件。
4. 电机驱动控制模块。
5. 电池充电管理系统。
6. 各类工业自动化设备中的电源管理和信号调节部分。
SUM110N04-05G, IRFZ44N, FQP11N25