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GA1210Y183MBLAT31G 发布时间 时间:2025/5/22 14:14:32 查看 阅读:16

GA1210Y183MBLAT31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,基于先进的半导体工艺制造。它主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用领域,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,可显著提高效率并降低功耗。
  该器件采用TO-263封装形式,具有良好的散热性能和电气特性,适用于各种需要高效能功率管理的场景。

参数

型号:GA1210Y183MBLAT31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  Vds(漏源电压):120V
  Rds(on)(导通电阻):4.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  Id(连续漏极电流):40A
  Ptot(总功耗):125W
  Vgs(栅源电压):±20V
  f(工作频率范围):高达500kHz
  封装形式:TO-263

特性

GA1210Y183MBLAT31G 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高整体效率。
  2. 快速的开关速度,支持高频操作,非常适合开关电源和DC-DC转换器的应用。
  3. 高耐压能力(Vds=120V),使其能够在较宽的电压范围内稳定运行。
  4. 良好的热性能,结合TO-263封装设计,确保在高电流负载下的可靠散热。
  5. 栅极电荷小,能够有效降低驱动损耗。
  6. 提供了较高的雪崩击穿能量,增强了器件的鲁棒性,从而提高了系统的可靠性。

应用

GA1210Y183MBLAT31G 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 电池保护和管理系统中的充放电控制开关。
  5. 各类工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能。
  7. 通信电源中的功率分配与转换组件。

替代型号

GA1210Y183MBLAT31G-A, IRF540N, FQP19N12

GA1210Y183MBLAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.018 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-