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GA1210Y183JXLAT31G 发布时间 时间:2025/6/4 3:54:44 查看 阅读:8

GA1210Y183JXLAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率、高频开关应用设计。该型号采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,广泛应用于电源管理、电机驱动以及消费类电子设备中。其封装形式通常为表面贴装类型,适合自动化生产。

参数

型号:GA1210Y183JXLAT31G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压Vds:60V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  连续漏极电流Id:12A
  导通电阻Rds(on):1.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗Ptot:75W
  工作温度范围Tj:-55°C to +175°C
  封装形式:TO-252 (DPAK)

特性

GA1210Y183JXLAT31G的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗,提升整体效率。
  2. 快速开关能力,适用于高频PWM控制电路。
  3. 高击穿电压,确保在复杂电路环境下具有良好的稳定性。
  4. 优化的热性能设计,可有效降低工作温度,延长使用寿命。
  5. 支持表面贴装技术(SMT),便于大规模生产和自动化组装。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
  该器件通过先进的制程技术实现了低开关损耗和高可靠性,是许多高效能功率转换系统中的理想选择。

应用

GA1210Y183JXLAT31G被广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)及AC-DC适配器。
  2. DC-DC转换器和同步整流电路。
  3. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
  4. 消费类电子产品,如笔记本电脑和平板电脑的充电电路。
  5. 工业级电机驱动和逆变器。
  6. LED照明驱动电路。
  其高效率和耐用性使其成为这些应用场景中的关键组件。

替代型号

GA1210Y183JXLAT31H, IRF540N, FDP5500

GA1210Y183JXLAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.018 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-