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GA1210Y154MBAAR31G 发布时间 时间:2025/5/24 19:55:24 查看 阅读:12

GA1210Y154MBAAR31G 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,广泛应用于电源管理、电机驱动和信号切换等领域。该芯片采用先进的工艺技术制造,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点。其封装形式为 LFPAK8,能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
  这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,主要针对高频开关应用进行了优化。由于其优异的电气特性和可靠性,它被广泛用于消费电子、工业控制以及通信设备中。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  封装:LFPAK8
  最大漏源电压(Vds):150V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):-76A
  导通电阻(Rds(on)):2.9mΩ
  栅极电荷(Qg):80nC
  总电容(Ciss):1450pF
  开关频率:高达 1MHz
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1210Y154MBAAR31G 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),有助于降低功率损耗并提高系统效率。
  2. 高电流处理能力,支持大负载应用。
  3. 快速开关速度,适合高频电路设计。
  4. 强大的热性能表现,确保在高温环境下稳定运行。
  6. 小型化的 LFPAK8 封装,节省 PCB 空间。
  这些特性使该器件非常适合需要高效能和紧凑设计的应用场景。

应用

GA1210Y154MBAAR31G 可用于多种领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC/DC 转换器的核心开关元件。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  4. 工业自动化设备中的信号切换。
  5. 电池管理系统(BMS)中的保护电路。
  6. 通信基础设施中的电源模块。
  凭借其卓越的性能,该芯片能够为各类应用提供可靠的解决方案。

替代型号

GA1210Y154MBBAR31G, IRF7754PbF, FDP16N10B

GA1210Y154MBAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.15 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-