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SMV512K32-SP 发布时间 时间:2025/5/6 18:51:10 查看 阅读:13

SMV512K32-SP 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率开关器件,广泛应用于高频率、高效率的电源转换场景。该型号属于 Vishay 公司推出的 SMV 系列 GaN FET 产品线,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,可显著提升系统性能并减小整体尺寸。
  这款元器件采用增强型设计,支持常关(enhancement-mode)工作模式,便于与传统驱动电路兼容。其目标应用包括 DC-DC 转换器、PFC(功率因数校正)电路、无线充电模块以及高频逆变器等。

参数

类型:增强型 GaN 场效应晶体管
  耐压:650 V
  连续漏极电流:12 A
  导通电阻:32 mΩ
  栅极电荷:75 nC
  开关速度:纳秒级
  封装形式:TO-Leadless (TOLL)
  工作温度范围:-55 ℃ 至 +175 ℃

特性

SMV512K32-SP 的主要特性包括:
  1. 高耐压能力(650 V),适合多种高压应用场景。
  2. 极低的导通电阻(32 mΩ),有助于减少传导损耗并提高效率。
  3. 快速开关性能(栅极电荷仅为 75 nC),适用于高频设计以缩小磁性元件体积。
  4. 增强型结构确保器件在默认状态下为关闭模式,便于安全操作。
  5. 宽广的工作温度范围(-55 ℃ 至 +175 ℃),适应各种极端环境条件。
  6. 封装采用无引脚设计(TOLL),优化了热管理和电气性能,并符合 RoHS 标准。

应用

SMV512K32-SP 的典型应用领域涵盖以下方面:
  1. 开关电源(Switching Power Supply, SMPS)
  2. 功率因数校正(Power Factor Correction, PFC)
  3. 高频 DC-DC 转换器
  4. 电动汽车(EV)车载充电器
  5. 太阳能逆变器
  6. 工业电机驱动
  7. 无线电力传输设备
  8. 数据中心服务器电源
  由于其出色的效率和高频特性,该芯片特别适合需要紧凑设计和高性能表现的现代电子系统。

替代型号

SMV512K40-SP, SMV512K50-SP

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