您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1210Y123MBCAR31G

GA1210Y123MBCAR31G 发布时间 时间:2025/6/4 3:51:23 查看 阅读:8

GA1210Y123MBCAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等电力电子领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  其封装形式为行业标准的表面贴装器件(SMD),便于自动化生产和焊接,同时具备出色的电气和机械性能。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):120V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):10A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ
  栅极电荷(Qg):45nC
  总电容(Ciss):2200pF
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-263

特性

GA1210Y123MBCAR31G 的主要特点是其低导通电阻,仅为 3.5mΩ,能够在高电流应用中显著降低功耗并提升系统效率。
  此外,该器件还具备快速开关能力,栅极电荷低至 45nC,有助于减少开关损耗并支持高频操作。
  芯片的工作温度范围宽广,从 -55°C 到 +175°C,使其适用于恶劣环境下的工业和汽车应用。
  其封装形式 TO-263 提供了良好的散热性能,并且与现有设计兼容,便于升级或替代现有方案。
  总体而言,这款 MOSFET 在效率、可靠性和易用性方面表现出色,是许多功率转换应用的理想选择。

应用

该芯片适合于多种电力电子应用,包括但不限于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
  2. DC-DC 转换器中的功率级控制。
  3. 电机驱动电路中的功率开关。
  4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关或保护电路。
  5. 工业设备中的继电器替代品。
  6. 汽车电子中的高边/低边开关。
  由于其高效率和高可靠性,GA1210Y123MBCAR31G 在消费电子、工业控制和汽车电子等领域均具有广泛应用前景。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5500
  STP10NK06Z

GA1210Y123MBCAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.012 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-